簡(jiǎn)要介紹常用的九種電容器

簡(jiǎn)要介紹常用的九種電容器

1、鋁電解電容

采用浸入糊狀電解質(zhì)的吸水紙夾在兩張鋁箔中間卷繞而成，薄片的化氧化膜作介質(zhì)的電容器。由于氧化膜有單向?qū)щ娦?，因此電解電容器具有極性。容量大，能耐受大的脈動(dòng)電流容量誤差大，泄漏電流大；普通的不適于在25kHz以上的頻率低頻旁路，不適合在25kHz以上的頻率低頻旁路，信號(hào)耦合，電源濾波

2、鉭電解電容

采用燒結(jié)的鉭塊作為正極，電解質(zhì)采用固體二氧化錳溫度特性，頻率特性和可加性都優(yōu)于普通電解電容器，尤其是漏電流極小、貯存性好、壽命長(zhǎng)、容量誤差小，單位體積下可以得到最大電容電壓乘積對(duì)脈動(dòng)電流的耐受性差，而漏電流極小，儲(chǔ)存性好，單位體積下可以得到最大的電容電壓乘積對(duì)脈動(dòng)電流的耐受性差，如果損壞的話，就會(huì)發(fā)生短路。

3、薄膜電容器

其結(jié)構(gòu)類似于紙制電容器，但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質(zhì)頻率特性好，介電損耗小，不能做成大容量，耐高溫差濾波器，積分，振蕩，定時(shí)電路。

4、瓷介電容

穿心式或柱式結(jié)構(gòu)瓷介電容器，其一種電極是安裝螺釘。引線電感極小，頻率特性好，介電損耗小，有溫度補(bǔ)償作用不能使其產(chǎn)生大容量，受振動(dòng)時(shí)特別適合高頻旁路。

5、獨(dú)石電容器

(多層陶瓷電容器)在一組陶瓷薄膜坯體上覆蓋電極槳葉材料，疊合后一圈繞一圈，外部再用樹(shù)脂包封而成體積小、容量大、可*和耐高溫的新型電容器，高介電常數(shù)的低頻電容器也具有穩(wěn)定的性能，體積極小，Q值高容量誤差較大的噪聲旁路，濾波器，積分，振蕩電路。

6、紙電容器

通常采用兩條鋁箔作電極，中間以厚度為0。008~0。012mm的電容器紙隔開(kāi)，卷繞厚度為0。008~0。012mm的電容器紙。制作工藝簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，能獲得較大的電力容量，一般在低頻電路中不能在高于3~4MHz的頻率使用。油浸電容器的耐壓比普通紙電容器高，穩(wěn)定性好，適用于高壓電路。

7、微調(diào)電容器

電量可以在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，并且可以在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，并且可以在一定程度上固定一個(gè)電容值。瓷介微調(diào)電容器的Q值高、體積也小，一般分為圓管型和圓片型。

云母與聚苯乙烯介質(zhì)電容。

一般均采用彈簧型，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但穩(wěn)定性差。線繞瓷介微調(diào)電容器是用拆開(kāi)銅絲的‘外電極’來(lái)改變電容量，故容量只能變小，不適合在需要反復(fù)調(diào)試的場(chǎng)合使用。

9、陶瓷電容器

采用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤(pán)，再用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O，分為高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻電容器僅在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合，不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈內(nèi)菀妆幻}沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路云母電容器就結(jié)構(gòu)而言,可分為箔片式及被銀式。被銀式電極為直接在云母片上用真空蒸發(fā)法或燒滲法鍍上銀層而成,由于消除了空氣間隙,溫度系數(shù)大為下降,電容穩(wěn)定性也比箔片式高。頻率特性好,Q值高,溫度系數(shù)小不能做成大的容量廣泛應(yīng)用在高頻電器中,并可用作標(biāo)準(zhǔn)電容器。

10、玻璃釉電容器

將一種濃度適合噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜，再用銀層電極燒結(jié)而成的"獨(dú)石"結(jié)構(gòu)性能可與云母電容器媲美，能承受各種氣候環(huán)境，一般可在200℃或更高溫度下工作，額定工作電壓可達(dá)500V，損耗tgδ0。0005~0。008。